德州仪器采用当前先进的 GaN 制造技术，现启用两家工厂生产 GaN 功率半导体全系列产品
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北京2024年10月28日 /美通社/ -- 德州仪器 (TI)（纳斯达克股票代码：TXN）近日宣布，公司基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体已在日本会津工厂开始投产。随着会津工厂投产，加上德州仪器现有 GaN 制造产能，德州仪器的 GaN 功率半导体自有制造产能将提升至原来的四倍。
德州仪器技术和制造集团高级副总裁 Mohammad Yunus 表示："基于在 GaN 芯片设计和制造领域数十年的专业知识，我们已成功验证了德州仪器 8 英寸 GaN 技术并将开始大规模生产。这种 GaN 制造方式在目前阶段拥有显著的可扩展性和成本优势，颇具里程碑意义，可助力我们不断扩大 GaN 芯片的自有制造。到 2030 年，我们的自有制造产能将增至 95% 以上，同时实现从多个德州仪器工厂供货，从而确保我们高功率、高能效 GaN 半导体产品全系列的可靠供应。"
GaN 技术：功能强大，潜力无限
作为硅的替代品，GaN 是一种在能源效率、开关速度、电源解决方案尺寸和重量、总系统成本以及高温和高压性能方面颇具优势的半导体材料。GaN 芯片可提供更高的功率密度，即在较小的空间内提供更大功率，因此可用于笔记本电脑和手机中的电源转换器以及暖通空调系统和家用电器中的更小型、更高能效电机驱动。
如今，德州仪器提供品类齐全的 GaN 集成功率半导体，涵盖低压和高压类别，可助力打造高能效、高可靠性且高功率密度的电子产品。
德州仪器高压电源部门副总裁 Kannan Soundarapandian 表示："借助 GaN 技术，德州仪器可以更高效地在紧凑空间内提供更大功率，这也是驱动我们很多客户进行创新的主要市场需求。服务器电源、太阳能发电和交流/直流适配器等系统的设计人员面临着降低功耗并提高能效的挑战，他们越来越需要德州仪器稳定供应基于 GaN 的高性能芯片。德州仪器的集成式 GaN 功率级产品系列可助力客户实现更高功率密度、更好易用性和更低系统成本。"
此外，德州仪器 GaN 芯片采用了德州仪器专有的硅基氮化镓 (GaN-on-silicon) 工艺，经过超 8 千万小时的可靠性测试并具有集成保护特性，可保持高压系统的安全性。
GaN 制造技术：卓越性能，引领前沿
德州仪器采用了当今市面上先进的 GaN 芯片制造设备，其新增产能可提升产品性能、制造工艺效率并带来成本优势。
此外，德州仪器在提升 GaN 产能过程中采用了更先进、更高效的机台，可以生产出体积更小但是功率更大的芯片。这种设计创新可在制造中使用更少的水资源、能源和原材料，采用 GaN 芯片的终端产品也能拥有同样的环境效益。
面向未来，不断扩展
德州仪器新增的 GaN 产能所带来的性能优势还包括，可以支持公司将GaN芯片应用扩展到更高的电压范围，起始电压为900V，并随时间推移扩展至更高电压，进一步推动机器人、可再生能源和服务器电源等应用在功效和尺寸方面的创新。
德州仪器的扩大投资还包括今年年初成功开展的在 12 英寸晶圆上开发 GaN 制造工艺的试点项目。此外，德州仪器扩展后的 GaN 制造工艺可全面转为采用 12 英寸技术，使公司可根据客户需求迅速扩展规模并为未来转为 12 英寸技术做好准备。
致力于负责任、可持续的制造
扩大GaN 技术的芯片供应和创新应用，是德州仪器践行负责任、可持续制造理念的新一举措。德州仪器还承诺了 2027 年美国业务全面实现可再生电力使用，并在 2030 年全球业务全面实现该目标。
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